在电源电子（例如驱动技术）中，IGBT（隔离式栅极驱动器 - Insulated Gate Bipolar Transistor）经常用作高电压和高电流开关。这些功率晶体管由电压控制，其主要损耗产生于开关期间。为了zui大程度减小开关损耗，要求具备较短的开关时间。
然而，快速开关同时隐含着高压瞬变的危险，这可能会影响甚至损坏处理器逻辑。因此，需要为IGBT提供合适栅极信号的栅极驱动器，还需要执行提供短路保护并影响开关速度的功能。然而，在选择栅极驱动器时，某些特性也是至关重要的。
图1：隔离式栅极驱动器ADuM4135的简化原理图电流驱动能力
在开关期间，晶体管会处于同时施加了高电压和高电流的状态。根据欧姆定律，这将导致一定的损耗，具体取决于这些状态的持续时间（参见图2）。栅极驱动器的一个目标是要尽可能缩短这些时间段。此处的主要影响因素是晶体管的栅极电容，为实现开关必须对其进行充电/放电。增大瞬态电流会加速此过程。
图2：晶体管各个损耗分量的简化表示因此，能够在更长时间内提供更高栅极电流的驱动器对开关损耗更能起到积极作用。例如，ADuM4135可以提供高达4A的电流。取决于不同的IGBT，这可能会使开关时间处于很小的几ns范围内。
时序
开关时间zui小化的决定性因素是输出上升时间（tR）、下降时间（tF）和传播延迟（tD）。传播延迟定义为输入沿到达输出所需的时间，并取决于驱动器输出电流和输出负载。传播延迟通常伴随脉冲宽度失真（PWD），其为上升沿时延和下降沿时延之间的差值：
因为驱动器通常具有多个输出通道，所以尽管采用相同的输入驱动，但仍会具有不同的响应时间，因此会产生小的附加偏置，即传播延迟偏斜（tSKEW）。
图3：具有多个输出的栅极驱动器的时序行为
在电力电子中，出于功能和安全考虑需要进行隔离。由于采用了栅极驱动器（例如在驱动技术中采用半桥拓扑形式），因此会与较高的总线电压和电流接触，必须进行隔离。
功能方面，进行隔离的原因是功率级的驱动通常发生在低压电路中，因此无法驱动半桥拓扑的高端开关，因为低端开关同时打开时，高端开关的电位较高。同时，隔离代表着发生故障时高压部分与控制电路可靠隔离，从而可以进行人为接触。隔离式栅极驱动器的Viso（隔离耐压等级）通常为5kV（rms）/min或更高。
抗扰度
恶劣的工业环境要求其中的应用对干扰源具有优异的抗扰度或抗干扰性。例如，RF噪声、共模瞬变和干扰磁场是关键性因素，因为它们可以耦合到栅极驱动器中，并且会激励功率级，使其在不希望的时间内做出开关动作。隔离式栅极驱动器的共模瞬变抗扰度（CMti）定义了抑制输入和输出之间共模瞬变的能力。例如，ADuM4121具有出色的大于150kV/μs的规格值。
本文提到的参数仅代表栅极驱动器规格的一部分，并不代表完整列表。其他决定性因素包括工作电压、电源电压、温度范围以及附加集成功能（如米勒箝位和去饱和保护）。因此，可根据应用需求选择各种不同的栅极驱动器。
